Unidad en estado solido Samsung 990 EVO Plus 1TB M.2 2280, PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
Unidad en estado solido Samsung 990 EVO Plus 1TB M.2 2280, PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 - Imagen 2
Unidad en estado solido Samsung 990 EVO Plus 1TB M.2 2280, PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 - Imagen 3

Unidad en estado solido Samsung 990 EVO Plus 1TB M.2 2280, PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0

S/ 405.71

Velocidad de lectura secuencial de hasta 7150 MB/s, Velocidad de escritura secuencial de hasta 6300 MB/s. Tecnologia de Hardware: Samsung V NAND TLC (V8).

20 disponibles

SKU: SSDSM990EVOP1TB Categoría:

Descripción

MARCA SAMSUNG
MODELO 990 EVO PLUS
NUMERO DE PARTE MZ-V9S1T0B/AM
CAPACIDAD 1 TB
INTERFAZ PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0
PCIe Gen 5.0 x2 NVMe 2.0
VELOCIDAD DE LECTURA 7150 MB/S
VELOCIDAD DE ESCRITURA 6300 MB/S
FORMATO M.2 2280
TIPO DE CHIP TIPO CHIP SAMSUNG V-NAND TLC (V8)
CARACTERISTICAS TECNICAS CONSUMO DE ENERGIA: ACTIVO (LECTURA / ESCRITURA): 4.3W / 4.2W
DATA ENCRYPTION: Class 0 (AES 256) , TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
MEMORIA CACHE: HMB (HOST MEMORY BUFFER)
DIMENSIONES DEL PRODUCTO (Ancho x Altura x Profundidad): 2.28 x 0.25 x 8.12 CM

Información adicional

Marca

samsung
Tipo Operatividad

(NV) Nuevo

Productos relacionados