(v8) Caracteristicas Tecnicas Consumo DE Energia
ACTIVO
Yanapadre | Tecnologia, computo y redes
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Precio referencial
$199.32
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Marca
Categoria
Subcategoria
Codigo fabricante
MZ-V9S1T0B/AM
Operacion
(NV) Nuevo
(v8) Caracteristicas Tecnicas Consumo DE Energia
ACTIVO
(lectura / Escritura)
4.3W
/ 4.2w Data Encryption
Class 0 (AES 256)
MS Edrive (ieee1667) Memoria Cache
HMB (HOST MEMORY BUFFER) DIMENSIONES
Del Producto (ancho X Altura X Profundidad)
2.28
Del Producto (ancho X Altura X Profundidad)
2.28 x 0.25 x 8.12 CM
Consumo DE Energia
ACTIVO
(lectura / Escritura)
4.3W / 4.2W
Data Encryption
Class 0 (AES 256)
Memoria Cache
HMB (HOST MEMORY BUFFER)
(ancho X Altura X Profundidad)
2.28 x 0.25 x 8.12 CM
X 0.25 X 8.12 CM
MARCA
Marca
SAMSUNG
Modelo
990 EVO PLUS
Numero DE Parte
MZ-V9S1T0B/AM
Capacidad
1 TB
Interfaz
PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 PCIe Gen 5.0 x2 NVMe 2.0
Velocidad DE Lectura
7150 MB/S
Velocidad DE Escritura
6300 MB/S
Formato
M.2 2280
Tipo DE Chip
TIPO CHIP | SAMSUNG V-NAND TLC (V8)
Caracteristicas Tecnicas
CONSUMO
DE Energia
ACTIVO
Caracteristicas Tecnicas
DATA
Encryption
Class 0 (AES 256)
Caracteristicas Tecnicas
MEMORIA
Cache
HMB (HOST MEMORY BUFFER)
Dimensiones Del Producto
(Ancho
X Altura X Profundidad)
2.28 x 0.25 x 8.12 CM
Codigo Fabricante
MZ-V9S1T0B/AM
Operatividad
(NV) Nuevo