Logo de Yanapadre
Volver al catálogo

Descripción del fabricante

Sobre este producto

Velocidad de lectura secuencial de hasta 7250 MB/s, Velocidad de escritura secuencial de hasta 6300 MB/s. Tecnologia de Hardware: Samsung V NAND TLC (V8).

Características clave

  • Características técnicasConsumo De Energia: Activo (Lectura / Escritura): 4.6W / 4.2W

Ficha técnica

Especificaciones

14 datos públicos en esta ficha.

Marca
Samsung
Modelo
990 EVO PLUS
Código de fabricante
MZ-V9S2T0B/AM
SKU tienda
SSDSM990EVOP2TB
Condición
Nuevo
Disponibilidad
Sin stock inmediato

General

Marca
Samsung
Modelo
990 EVO PLUS
Número de parte
MZ-V9S2T0B/AM
Capacidad
2 TB
Interfaz
PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 PCIe Gen 5.0 x2 NVMe 2.0
Velocidad de Lectura
7250 MB/S
Velocidad de Escritura
6300 MB/S
Formato
M.2 2280
Código de fabricante
MZ-V9S2T0B/AM

Tipo de Chip

Tipo Chip
Samsung V-Nand TLC (V8)
Características técnicas
  • Consumo De Energia: Activo (Lectura / Escritura): 4.6W / 4.2W
  • Data Encryption: Class 0 (Aes 256) , TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
  • Memoria Cache: HMB (Host Memory Buffer)
Dimensiones del producto
(Ancho x Altura x Profundidad): 2.28 x 0.25 x 8.12 cm

Explora más

Catálogo

Alternativas disponibles

Ver categoría